2024-02-18

关于晶振起振慢的原因，晶诺威科技分析如下： 1、电容参数不匹配 如果使用的电容参数与晶振的要求不匹配，容易导致起振慢的问题。 2、晶振电阻（ESR）过大 如果晶振的等效电阻过大，容易造成激励功率驱动不足，造成起振慢。 3、PCB板设计不当 如果PCB板设计中，晶振在强噪声的环境下（如马达、喇叭，风扇…

2024-02-05

晶振两端电容对时间的影响是什么？ 答：晶振两端电容越大，时间越慢；晶振两端电容越小，时间越快。 晶诺威科技解释如下： 一般情况下，增大无源晶振的负载电容将会使其振荡频率下降。负载电容越大，其振荡越稳定，但是会增加起振时间和功耗。 晶振两端电容大小对电路的稳定性有着重要影响。合适的电容大小可以提高电路…

2024-02-04

9pF晶振选多大电容？ 答： 12pF 晶诺威科技解释如下： 在一些情况下，为晶振添加适当的负载电容是必要的。这有助于维持振荡的稳定性，确保信号的质量和准确性。 当负载电容CL=9pF，建议外接电容C1=C2=12pF。

2024-01-31

除了输出波形测试外，晶振电路匹配还需要进行以下测试： 1、负载电容测试： 负载电容是晶振在特定电路条件下的电容负载，需要使用LCR表测量晶振两端的电容值，确保它与设计规格相符。测试结果应符合设计规格，同时确保晶振在特定电路条件下能正常工作。 2、驱动电平测试： 驱动电平是指晶振在工作状态下所需的最小…

2024-01-19

关于展频晶振抗干扰与时钟精度的冲突问题，晶诺威科技分析如下： Every electronic product designer has to deal with the issue of electromagnetic compatibility (EMC) or electromagnetic …

2024-01-18

32.768K晶振时间慢了怎样调电容？ 答：如果时间慢，请调小电容（CL1&CL2）；反之，如果时间快，请调大电容（CL1&CL2）。 注：负载电容（CL）是晶体的技术指标，并不是外接并联的电容（CL1&CL2）。如果这个晶体负载电容是12.5pF，考虑分布杂散电容3pF，那…

2024-01-17

关于多层PCB设计中晶振接地（GND）问题，晶诺威科技解释如下： 在多层PCB设计中，合理的层叠设计有助于减小电磁干扰和信号干扰。通常，将信号层与地平面和电源平面隔开，有助于提高信号完整性和降低EMI。 地平面（Ground Plane） 指在电路设计中，用于连接和分布地（Ground）的导电区域。…

2024-01-12

关于晶振故障单片机自动切换至系统内部时钟造成系统紊乱问题，晶诺威科技解释如下： 一、 问题描述 在单片机系统中，使用晶振是为了提供稳定的时钟信号，以保证系统的正常运行。通常情况下，单片机会使用外部晶振作为时钟源。然而，外部晶振可能会出现故障，导致系统无法正常工作。为了避免这种情况下系统的瘫痪，我们需…

2024-01-11

32.768KHz晶振负载电容CL=6pF指的是晶振两端各接一个6pF电容吗？ 答：不是。当32.768KHz晶振的负载电容CL为6pF时，建议外接电容C1=C2=9pF。 晶诺威科技解释如下： 关于无源晶振的外接电容具体数值，请以时间实际快慢程度为准来调节。若时间快，请增大外接电容；若时间慢，请减…

2024-01-09

关于高精度晶振相关知识，晶诺威科技解释如下： 频率的变化量经常用ppm/ppb表示晶体频率会偏离标称频率多少。该值越小精度越高。晶振的频率误差是晶振重要参数之一。 调整频差 在25℃基准温度下，工作频率相对于标称频率所允许的偏差。 在石英晶体谐振器的规格书中，我们常看到调整频差用±30ppm max…