（串联电阻 VS 等效串联电阻） 晶振电路：等效串联电阻ESR和串联电阻的区别是什么？ 无源晶振，即晶体谐振器，晶体属于半导体器件。用万用表测试无源晶振单体，其频率管脚之间是不导通的。等效串联电阻ESR是一个“等效”出来的、虚拟的模型参数，用来描述一个非理想元件的损耗特性。换句话说，ESR是计算出来…

时间：2026/01/18

（32.768KHz石英晶体谐振器 SMD3215低电阻系列） 关于负载电容CL和等效串联阻抗ESR对无源晶振功耗的影响，晶诺威科技解释如下： 负载电容（CL）和等效串联电阻（ESR）是决定无源晶振（石英晶体谐振器）工作特性的两个关键参数，它们会直接影响晶振的功耗（主要表现为驱动电平DL和电流消耗）…

时间：2026/01/16

1、Schematic QFAA and QFAB QFN48 with internal LDO setup 2、 Schematic QFAA and QFAB QFN48 with DC/DC regulator setup 3、 Schematic QFAA and QFAB QFN48 w…

时间：2025/12/01

晶振10uW和100uW有什么区别？ 首先，这是针对无源晶振（晶体谐振器）的一个关键性电气参数，指的是晶振的激励功率，其单位是uW（即微瓦）。 简单来说，10uW的晶振比100uW的晶振更省电，功耗仅为后者的十分之一。换句话说，10uW的晶振仅需要芯片为其提供10uW的电流就能起振，而100uW的晶…

时间：2025/11/22

若40MHz晶振负载电容为8pF，外部电容选择多大？ 答：推荐10pF~12pF。 晶体振荡器的负载电容 CL 由以下公式定义： CL = (C1 × C2) / (C1 + C2) + Cstray 其中： C1, C2：就是我们选择的外部两个电容，通常为了对称，取相同值。 Cstray：是电路的…

时间：2025/11/12

在机器人对精准时序要求日益严苛的今天，晶诺威科技以全系列高性能晶振产品，为五大模块提供坚实支撑。我们具备成熟的温补(TCXO)、差分和小型化产品线，致力于为机器人产业的高质量发展赋能。 1、 温补（TCXO）应对复杂环境 普通晶振容易受温度影响导致频率漂移，而TCXO具备温度补偿功能，可让机器人在不…

时间：2025/09/05

（晶诺威科技产8MHz无源贴片晶振SMD3225-4P尺寸及内部电路连接图） 晶诺威科技产负载电容CL=8pF 8MHz晶振（SMD3225）主要电气参数如下： Nominal frequency标称频率: 8MHz Mode of oscillation振荡模式: fundamental基频 Lo…

时间：2025/05/22

晶振激励功率调整电阻位于“in”还是“out”？ 答：调整电阻位于晶振电路的“out”端。 如下图（REXT位置）所示：

时间：2025/02/16

 晶振的频率与品质因数的关系有哪些？ 答：高品质因数的晶振具有更高的频率稳定性和精度，同时能够提供更大的振幅和更低的损耗。 关于晶振的频率与品质因数的关系，晶诺威科技解释如下： 1、频率稳定性： 晶体的Q值越高，其频率选择性越好，频率稳定性也就越高。这意味着，高品质因数的晶振在长时间运行或环境条件变…

时间：2025/02/14

晶振等效阻抗（ESR）一般多大？ 答：晶诺威科技产MHz晶振等效阻抗（ESR）一般在30Ω~200Ω之间，而KHz晶振一般在20KΩ~40KΩ之间。 晶振的等效阻抗大小与其频率高低及封装类型有关，具体数值请参考晶振指定规格书ESR指标说明。 举例： 1、晶诺威科技产MHz晶振SMD2016等效阻抗如…

时间：2025/01/12